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Titel Erzeugung und Charakterisierung metallischer Nanostrukturen auf n-Si(111):H Einkristalloberflächen.
Autor Hugelmann, Martin
Institution Institut für Hochfrequenztechnik und Quantenelektronik (IHQ)
Dokumenttyp Buch
Verlag Universitätsverlag Karlsruhe, Karlsruhe
Jahr 2004
ISBN 3-937300-27-9
Hochschulschrift Dissertation
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (Fak. f. Elektrotech. u. Inform.-tech.)
Institut für Hochfrequenztechnik und Quantenelektronik (IHQ)
Prüfungsdaten: 08.07.2004
Referent/Betreuer: Prof. W. Wiesbeck
URL für Zitat http://digbib.ubka.uni-karlsruhe.de/volltexte/1000001173
DOI für Zitat http://dx.doi.org/10.5445/KSP/1000001173
URN für Zitat urn:nbn:de:0072-11738
Abstract Zyklische Voltammetrie und elektrochemisches Rastertunnelmikroskop (STM) wurden dazu verwendet die Eignung der Metalle Co, Pb, Cu und Au zur lokalisierten Elektrodeposition auf n-Si(111):H Einkristalloberflächen zu untersuchen. Dabei konnten auf atomar glatten n-Si(111):H Oberflächen abgeschiedene Co, Cu und Au Cluster mittels STM abgebildet werden. Die in situ Charakterisierung elektrochemisch gewachsener makroskopischer Co/n-Si(111):H, Pb/n-Si(111):H, Cu/n-Si(111):H und Au/n-Si(111):H-Kontakte erlaubte das elektronische Kontaktverhalten zu bestimmen. Mit Hilfe der gewonnen Erkenntnisse konnten 0D und 1D Pb-Nanostrukturen auf n-Si(111):H-Oberflächen lokalisiert aufgewachsen werden.
Zur in situ Charakterisierung von Nanostrukturen wurden die Distanz-Tunnel-Spektroskopie (DTS) und die Kontakt-Spektroskopie (CS) eingesetzt. Im System Au(111)-Substrat/Au-Spitze erlaubte eine modifizierte DTS-Annäherungsroutine den Abstandsnullpunkt zwischen Oberfläche und STM-Spitze mit einer Genauigkeit von 1/3 Monolage zu bestimmen und Oszillationen der Barrierenhöhe in Abhängigkeit des Abstands zu messen. In situ Strom/Spannungs-Messung an 1D Goldpunktkontakten wiesen auf ein rein ohmsches Verhalten hin. Unterdessen spiegelten CS-Untersuchungen an Au/n-Si(111):H-Nanodioden gleichrichtendes Kontaktverhalten wider, wobei im Vergleich zu makroskopischen Au/n-Si(111):H-Kontakten eine um fünf Dekaden höhere Stromdichte ermittelt werden konnte.