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Volltext 978-3-86644-615-1_pdfa.pdf1.pdf (8,5 MB)
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DOI (für Zitat) http://dx.doi.org/10.5445/KSP/1000021579
URN (für Zitat) http://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:0072-215794
Titel AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
Autor Kühn, Jutta
Institution Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (ETIT)
Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE)
Dokumenttyp Buch
Verlag KIT Scientific Publishing, Karlsruhe
Jahr 2011
Serie Karlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik ; 62
ISSN: 1868-4696
ISBN 978-3-86644-615-1
Hochschulschrift Dissertation
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (ETIT)
Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE)
Prüfungsdaten: 06.12.2010
Referent/Betreuer: Prof. M. Thumm
Abstract This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.